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Vishay推出30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET电源技术万芳

发布时间:2020-02-14 11:19:11 阅读: 来源:化学试剂生产家厂家

Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET - 电源技术 - 电子工程网

新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的导通电阻意味着更低的功率损耗,节省能源,延长两次充电之间的电池寿命,同时还可以减少发热,减小 PCB焊盘的面积。对于工业/通用系统中的电压达24V的负载切换和热插拔应用,该MOSFET的低导通电阻还可以减小电压降。

Si7625DN在10V和4.5V下的导通电阻低至7mΩ和11mΩ,这些数值比此前3.3mmx3.3mm占位面积的30V器件在10和 4.5V下的导通电阻分别低30%和39%。

新款MOSFET采用了Vishay此前发布的30V P沟道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封装。为满足工业应用的要求,第三代TrenchFET封装让设计者可在具有最大漏电流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分别比SO-8高85%和79%)或节省空间的PowerPAK 1212-8之间进行选择。由于占位只有3.3mmx3.3mm,该器件的占位面积只有PowerPAK SO-8或SO-8型封装的1/3。

MOSFET进行了完备的Rg和UIS测试,符合ROHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21的无卤素规范。新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,将于2010年第二季度实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

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